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层间距扩展的VOPO4纳米层正极材料：态耐武汉理工大学麦立强课题组8通过苯胺与晶格水分子的置换获得层间距为1.42nm的二维VOPO4纳米层结构，态耐这为嵌入离子（MgCl+）提供了足够的扩散空间，电化学性能表明，在2.0Ag-1的倍率下该正极材料依然表现出109mAhg-1的可逆性容量，此外其表现出优异的的循环稳定性（在0.1Ag-1电流密度下，经500次循环后容量为192mAhg−1）。一、克被NatureMaterials：克被阳离子缺陷改善材料储镁/储铝性能1相比于一价的锂离子或者钠离子来说，二价镁离子或者三价铝离子在电极材料中可逆嵌入/脱出动力学是非常困难的，柏林工业大学Dambournet课题组以锐钛矿TiO2为研究对象，通过异价掺杂诱导产生阳离子空穴缺陷，以此获得更多的二价镁离子嵌入位点，从而大大地提高了电极材料的可逆容量。

夺调侃此项工作也证明了利用缺陷工程实现镁电池电极材料整体电化学性能提高的可行性。态耐b)MgCl+不需要克服Mg-Cl键断裂势垒且由于电荷屏蔽效应导致较低的扩散能垒。通过二甲氧基乙烷的溶剂化作用或者氯离子的络合等，克被所获得含镁离子载体的电荷密度大大下降，克被大大减小了其与电极材料的相互作用力，促进了镁离子的扩散动力学。

夺调侃图1钛离子空位降低多价离子的嵌入能垒示意图。态耐右侧：四核镁离子（[Mg4Cl6(DME)6]2+）。

2三、克被NatureCommunications：克被小分子溶剂/负离子络合镁离子实现快速嵌入/脱出动力学3,4与单价锂离子相比，二价镁离子与嵌入宿主材料阴阳离子之间静电相互作用力更强，这使得镁离子宿主材料中扩散阻力大，嵌入/脱出动力学过程异常缓慢，该问题严重限制了正极材料的开发。

近期，夺调侃马里兰大学王春生老师课题组9也报道了水活化的VOPO4纳米片作为高性能储镁正极材料的研究。据悉上周(5月31日至6月9日期间)，态耐发生了不少事件，态耐如上海厨卫展召开、2017年卫浴趋势论坛举办、浴室柜高峰对话等，下面，中国十大卫浴品牌的小编带大家来回顾一下上周发生的大事。

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